Синтез композитных частиц CeO₂ для химико-механической полировки подложек из монокристаллического SiC и их применение при полировке: обзор
Synthesis of CeO 2 Composite Particles for Chemical Mechanical Polishing of Single-Crystal SiC Substrates and Their Polishing Applications: A Review
2026-01-12
SCID: 54.1/4vzbyxae
Discuss with AI
композитные частицы CeO2химико-механическая полировкадисперсионно-стабильные полировальные абразивыудаление материала карбида кремниямонокристаллические подложки SiC
Figures from the paper
Abstract (AI)
Карбид кремния (SiC) представляет собой полупроводник с выдающимися свойствами, широко применяемый при разработке силовой электроники, в аэрокосмической и оборонной отраслях, полупроводниковой промышленности, энергетике и других областях. Для прецизионной обработки пластин-подложек из SiC обычно используют химико-механическую полировку (ХМП). Однако высокая твердость и хрупкость SiC существенно снижают эффективность удаления материала при ХМП. Поэтому многочисленные исследователи изучают применение композитных частиц с повышенной химической реакционной способностью и структурированными конструкциями для ХМП подложек из SiC. В статье представлен подробный обзор типов композитных частиц на основе диоксида церия (CeO₂), обладающих повышенной механической прочностью, химической активностью, стабильностью дисперсии, а также гибкостью и сниженным износом, методов их получения и методик характеризации для химико-механической полировки подложек из монокристаллического SiC. Кроме того, систематически проанализирован механизм действия композитных частиц CeO₂ при ХМП подложек из SiC.
Key Findings
1
Композиционные частицы CeO₂ классифицируются по конструкциям с повышенными механическими свойствами, химической активностью, стабильной дисперсностью и сниженным гибким износом.
2
Высокая твёрдость и хрупкость SiC снижают эффективность удаления материала при обычной ХМП, что стимулирует разработку химически активных композиционных абразивов.
3
В статье систематически анализируется вклад композиционных частиц CeO₂ в химико-механизм полировки SiC.
4
Обзор посвящён композиционным частицам CeO₂, разработанным для повышения эффективности химико-механической полировки монокристаллических подложек SiC.
5
В обзоре обобщены методы получения и характеристики композиционных частиц CeO₂, применяемых для ХМП подложек SiC.
Research Object
Композитные частицы CeO2, используемые для химико-механической полировки подложек из монокристаллического SiC
Research Subject
Получение, свойства, эффективность полировки и механизм удаления материала композитных частиц CeO2 при химико-механической полировке подложек из монокристаллического SiC
Publication Details
Publication Date
2026-01-12
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
6
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest