шум 1/fповреждение кристаллаоднородные полупроводникифлуктуационный шум подвижностишум числа носителей
Figures from the paper
Abstract (AI)
В этом обзоре рассматривается шум 1/f в однородных полупроводниковых образцах. Проводится различие между флуктуациями подвижности и флуктуациями концентрации носителей. Показано, что флуктуации подвижности возникают всегда, причем значение α имеет порядок 10⁻⁴. Повреждение кристалла оказывает сильное влияние на α; α может увеличиваться на несколько порядков. Кратко обсуждаются несколько теоретических моделей, однако ни одна из них не может объяснить все экспериментальные результаты. Приведены значения α для нескольких полупроводников. Эти значения можно использовать при расчетах шума 1/f в приборах.
Key Findings
1
Повреждение кристалла значительно увеличивает α — потенциально на несколько порядков.
2
Существующие теоретические модели не объясняют все экспериментально наблюдаемые результаты для шума 1/f.
3
Шум подвижности присутствует всегда, причём параметр Хоуга α обычно имеет порядок 10^-4.
4
Приведённые значения α для нескольких полупроводников могут использоваться при расчёте шума 1/f в приборах.
5
В обзоре различаются два основных механизма шума 1/f в однородных полупроводниках: флуктуации подвижности и флуктуации числа носителей.
Research Object
Шум 1/f в однородных полупроводниковых образцах
Research Subject
Различие, величина и зависимость от повреждения кристалла шумов подвижности и числа носителей, включая изменение параметра α в различных полупроводниках
Publication Details
Publication Date
1994-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest