Квантовые плазмонные резонансы, управляемые молекулярными туннельными переходами

Quantum Plasmon Resonances Controlled by Molecular Tunnel Junctions
Shu Fen Tan, Lin Wu, Joel K. W. Yang, Ping Bai, Michel Bosman, Christian A. Nijhuis
2014-03-27

спектроскопия потерь энергии электроновмолекулярные туннельные переходыквантовые плазмонные резонансысамособирающиеся монослоиплазмон переноса заряда при туннелировании
Квантовое туннелирование между двумя плазмонными резонаторами связывает нелинейную квантовую оптику с терагерцевой наноэлектроникой. Мы описываем непосредственное наблюдение квантовых плазмонных резонансов и управление ими на масштабах длины от 0,4 до 1,3 нанометра в молекулярных туннельных переходах, образованных двумя плазмонными резонаторами, соединёнными самоорганизующимися монослоями (СОМ). Ширина и высота туннельного барьера определяются свойствами молекул. С помощью спектроскопии потерь энергии электронов мы непосредственно наблюдаем плазмонную моду — плазмон переноса заряда при туннелировании, частота которого (от 140 до 245 терагерц) зависит от молекул, соединяющих зазоры.
1
С помощью спектроскопии потерь энергии электронов непосредственно обнаружена туннельная плазмонная мода переноса заряда с частотами от 140 до 245 терагерц.
2
Свойства молекул определяют ширину и высоту туннельного барьера в этих плазмонных переходах.
3
Квантовые плазмонные резонансы были непосредственно обнаружены в молекулярных туннельных переходах с зазорами длиной 0,4–1,3 нанометра.
4
Частота плазмона переноса заряда зависит от молекул, соединяющих плазмонные зазоры, что демонстрирует молекулярное управление квантовыми плазмонными резонансами.
5
Переходы состоят из двух плазмонных резонаторов, соединённых самособранными монослоями, что обеспечивает квантовое туннелирование между резонаторами.

Молекулярные туннельные переходы, состоящие из двух плазмонных резонаторов, соединённых самособирающимися монослоями

Управление квантовыми плазмонными резонансами и их зависимость от молекул, включая частоту плазмонной моды переноса заряда туннелированием

Publication Details
Publication Date
2014-03-27
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Authors
Shu Fen Tan
Lin Wu
Joel K. W. Yang
Ping Bai
Michel Bosman
Christian A. Nijhuis
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%