Новое исследование температурной и токовой зависимости кинк-эффектов в S22 и h21 для технологии GaN HEMT

Цель этой обзорной статьи — дать глубокое представление о происхождении кинк-эффектов, влияющих на коэффициент отражения на выходе (S22) и коэффициент усиления по току при коротком замыкании (h21) твердотельных электронных устройств. Для получения ясного и всестороннего понимания влияния этих аномальных явлений на характеристики устройств кинк-эффекты в S22 и h21 подробно анализируются в широком диапазоне режимов смещения и температур. Анализ выполнен с использованием высокочастотных S-параметров, измеренных на транзисторе с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия (GaN HEMT). Эксперименты показывают, что выраженность кинк-эффектов может изменяться в зависимости от условий смещения и температуры. С использованием эквивалентной схемы GaN HEMT экспериментальные результаты анализируются и интерпретируются с точки зрения параметров элементов схемы для исследования происхождения кинк-эффектов и их зависимости от рабочего режима. Этот эмпирический анализ предоставляет ценную информацию, которую можно получить с помощью стандартной измерительной аппаратуры и использовать не только на предприятиях по производству GaN для оптимизации технологических процессов и, как следствие, характеристик устройств, но и разработчиками, которым необходимо учитывать выраженные кинк-эффекты этой передовой технологии.