Анализ и моделирование эффекта излома в S22 на основе метода опорных векторов для GaN HEMT

В данной работе анализируется и моделируется эффект излома (KE), обычно наблюдаемый в S22. Представлены и сопоставлены два различных метода моделирования — метод моделирования эквивалентной схемы (ECM) и метод машинного обучения на основе метода опорных векторов для регрессии (SVR), примененные к характеристике S22 транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия (GaN HEMT). Исследуемый прибор (DUT) имеет ширину 8 × 125 мкм и размер затвора 0,25 мкм. Предложенный метод позволяет выявить влияние напряжения смещения и внешних элементов на форму излома S22. Кроме того, по сравнению с ECM, модель SVR обеспечивает более высокую точность аппроксимации во всем частотном диапазоне.