Мощные когерентные полупроводниковые лазеры, задающие генераторы — усилители мощности и массивы усилителей
High-power coherent, semiconductor laser, master oscillator power amplifiers and amplifier arrays
1994-07-28
SCID: 54.1/bxzsu9em
Discuss with AI
антиуправляемые лазерные решёткиширокоапертурные кольцевые генераторыдифракционно-ограниченная генерациямощные полупроводниковые лазерызадающие генераторы-мощные усилители
Figures from the paper
Abstract (AI)
Полупроводниковые оптические источники обладают рядом существенных преимуществ по сравнению с другими твердотельными и газовыми лазерными системами, включая компактные размеры, высокий коэффициент полезного действия, высокую надёжность, устойчивость и технологичность изготовления. В результате многие быстро растущие коммерческие и потребительские рынки, включая телекоммуникации, печать и оптическое хранение данных, получили развитие только благодаря внедрению полупроводниковых лазеров. Электроника следующего поколения с высокими эксплуатационными характеристиками потребует полупроводниковых лазеров большей мощности; однако ещё в 1992 году доступные на рынке мощные полупроводниковые лазеры (с непрерывной мощностью свыше 200 мВт) не работали в одной пространственной моде и поэтому не излучали в виде одной дифракционно-ограниченной доли. Последние достижения в проектировании и изготовлении полупроводниковых лазеров привели к созданию мощных дифракционно-ограниченных лазерных источников. Архитектуры, исследовавшиеся для мощных дифракционно-ограниченных полупроводниковых лазеров, можно разделить на три категории: генераторы, генераторы с инжекционной синхронизацией и задающие генераторы — усилители мощности (MOPA). Наиболее высокая мощность при дифракционно-ограниченной работе генераторов была продемонстрирована с использованием антинаправляющих лазерных массивов. Эти устройства обеспечили непрерывную мощность до 0,5 Вт и импульсную мощность 1,5–2,0 Вт при дифракционно-ограниченной диаграмме излучения. К недостаткам антинаправляющих генераторов относятся многомодовый продольный спектр и многолепестковые диаграммы направленности в дальней зоне. Другой перспективной конфигурацией генератора является кольцевой генератор с широкой областью, для которого была продемонстрирована одночастотная импульсная работа при мощности свыше 1 Вт, а также дифракционно-ограниченная однолепестковая работа при импульсной мощности приблизительно 0,5 Вт.
Key Findings
1
Развитие конструкции и изготовления полупроводниковых лазеров обеспечило создание мощных дифракционно-ограниченных источников, устранив прежнее отсутствие коммерческих одномодовых устройств с непрерывной мощностью выше 200 мВт.
2
Антиуправляемые лазерные решетки обеспечили до 0,5 Вт в непрерывном режиме и 1,5–2,0 Вт в импульсном режиме при дифракционно-ограниченном излучении, но имели многомодовый продольный спектр и многолепестковую дальнюю диаграмму.
3
Широкоапертурные кольцевые осцилляторы продемонстрировали одномодовую генерацию свыше 1 Вт в импульсном режиме и примерно 0,5 Вт импульсной дифракционно-ограниченной генерации с одним лепестком.
4
Мощные дифракционно-ограниченные полупроводниковые лазеры создавались с использованием трех архитектур: осцилляторов, инжекционно-синхронизированных осцилляторов и усилителей мощности с задающим генератором.
5
Полупроводниковые источники излучения имеют преимущества компактности, эффективности, надежности, устойчивости и технологичности по сравнению с другими твердотельными и газовыми лазерными системами.
Research Object
Мощные когерентные полупроводниковые лазеры, задающие генераторы с усилителями мощности и массивы усилителей
Research Subject
Архитектуры и характеристики мощных полупроводниковых лазерных источников с дифракционным пределом, включая выходную мощность, пространственные и продольные моды, спектральные характеристики и диаграммы направленности дальнего поля
Publication Details
Publication Date
1994-07-28
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest