Недавние разработки двумерных дихалькогенидов переходных металлов и их применения

Последние достижения в области атомно тонких двумерных дихалькогенидов переходных металлов (2D TMDs) привели к появлению ряда перспективных технологий для наноэлектроники, фотоники, сенсоров, накопления энергии и оптоэлектроники. В статье дается обзор недавнего прогресса в 2D-материалах за пределами графена с основным акцентом на дихалькогенидах переходных металлов (TMDs) (например, MoS2, WS2, MoSe2 и WSe2). Эти материалы находят нишевые приложения в устройствах электроники и оптоэлектроники следующего поколения благодаря предельной атомной толщине. Несмотря на существующие трудности в создании масштабируемых и бездефектных TMDs на требуемых подложках, разработаны новые методы выращивания, совместимые как с традиционными, так и с нетрадиционными подложками, чтобы удовлетворить растущий спрос на высокое качество и управляемость для практических применений. Особое внимание уделено изготовлению новых 2D TMDs, демонстрирующих экзотические функциональные свойства и принципиально новую химию. Наконец, наряду с электронными приложениями подробно обсуждается значительная работа по использованию этих материалов в энергетике и сенсорике.