Температурная чувствительность двух СВЧ-транзисторов HEMT: гетероструктуры AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN

Цель данной работы заключается в сравнительном анализе влияния температуры на СВЧ-характеристики транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT), изготовленных по технологиям на основе GaAs и GaN. Для достижения этой цели относительная чувствительность СВЧ-характеристик к изменениям температуры окружающей среды определяется с использованием измерений параметров рассеяния и соответствующих эквивалентных схем. Исследуемые приборы представляют собой два транзистора HEMT с одинаковой шириной затвора 200 мкм, изготовленные с применением различных полупроводниковых материалов — GaAs и GaN. Исследование проводится в условиях охлаждения и нагрева при изменении температуры от −40 °C до 150 °C. Хотя влияние температуры существенно зависит от выбранного режима работы, рабочая точка по постоянному току выбирается таким образом, чтобы обеспечить, насколько это возможно, корректное сравнение двух различных технологий. Как будет показано, для обеих технологий наблюдаются достаточно сходные тенденции, однако влияние температуры более выражено в приборе на основе GaN.