Кремниевые и нитрид-кремниевые фотонные схемы для спектроскопического сенсинга на кристалле [Приглашённый доклад]
Silicon and silicon nitride photonic circuits for spectroscopic sensing on-a-chip [Invited]
2015-08-26
SCID: 54.1/gff7v67y
Discuss with AI
внутричиповые спектрометрыфотоника на основе нитрида кремниякремниевые фотонные схемыспектроскопическое зондированиеповерхностно-усиленная рамановская спектроскопия
Figures from the paper
Abstract (AI)
В связи с этим быстро растёт спрос на использование интегральной кремниевой и нитрид-кремниевой (Si3N4) фотоники для сенсорных применений — от измерения показателя преломления до спектроскопического сенсинга. Благодаря применению передовой технологии CMOS сложные миниатюризированные схемы можно легко реализовывать в больших масштабах и при низкой стоимости в диапазоне от видимого до среднего инфракрасного (mid-IR) спектрального диапазона. В данной статье представлены наши последние результаты разработки кремниевых и основанных на Si3N4 фотонных интегральных схем для различных приложений спектроскопического сенсинга. Приведены результаты исследований поглощения в волноводах, а также рамановской спектроскопии и поверхностно-усиленной рамановской спектроскопии. Наконец, представлены спектрометры на кристалле и широкополосные источники света на кристалле, охватывающие диапазон от ближнего ИК до среднего ИК, для создания полностью интегрированных спектроскопических систем на одном кристалле. © 2015 Chinese Laser Press.
Key Findings
1
Он-чип спектрометры и широкополосные источники света, охватывающие диапазон от ближнего до среднего инфракрасного излучения, обеспечивают создание полностью интегрированных спектроскопических систем.
2
Интегрированная фотоника на основе кремния и нитрида кремния позволяет создавать миниатюрные, масштабируемые и недорогие сенсорные схемы с использованием передовой CMOS-технологии.
3
Представлены результаты разработки кремниевых и нитрид-кремниевых фотонных схем для различных спектроскопических сенсорных применений.
4
Представленные платформы поддерживают сенсорные применения в диапазоне от видимого до среднего инфракрасного излучения, включая измерение показателя преломления и спектроскопию.
5
Продемонстрированы волноводная абсорбционная спектроскопия, а также рамановская и поверхностно-усиленная рамановская спектроскопия на фотонных интегральных схемах.
Research Object
фотонные интегральные схемы на основе кремния и нитрида кремния (Si3N4) для спектроскопического сенсинга на кристалле
Research Subject
возможности спектроскопического сенсинга, включая поглощение на основе волноводов, рамановскую и поверхностно-усиленную рамановскую спектроскопию, а также интегрированные спектрометры и широкополосные источники света в диапазоне от ближнего ИК до среднего ИК
Publication Details
Publication Date
2015-08-26
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest