Эффективная модель запаздывания стока для микроволновых GaN HEMT на основе ASM-HEMT

Для моделирования HEMT-транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) в режиме больших сигналов требуется точное описание эффектов захвата. В данной работе предложено новое, упрощённое, но точное описание запаздывания стока, повышающее точность моделирования и совершенствующее процедуру извлечения параметров физически обоснованной компактной модели ASM-HEMT. Исследовано влияние запаздывания стока на конкретные физические явления с акцентом на взаимосвязи между состояниями ловушек, расчётом поверхностного потенциала и свойствами переноса электронов. Работа дополнена усовершенствованной процедурой извлечения параметров, минимизирующей объём необходимых измерений и тем самым нежелательные последствия многократных измерений одного и того же прибора. Процедура использует только импульсные вольт-амперные характеристики и импульсные S-параметры, обеспечивая эффективные и точные результаты моделирования. Показано, что предложенная модель ловушек является эффективным инструментом для моделирования поведения как в режиме малых, так и больших сигналов, обеспечивая точное прогнозирование S-параметров и характеристик load-pull.