Физика полупроводниковых приборов
Physics of Semiconductor Devices
2002-01-01
SCID: 54.1/hqnwuxs3
Discuss with AI
МОП-транзистор (MOSFET)короткоканальные эффекты MOSFETтеория энергетических зонмодель постепенного каналаполупроводниковые приборы
Figures from the paper
Abstract (AI)
Физика полупроводниковых приборов охватывает как базовые классические темы, такие как теория зон энергии и модель градуального канала МОП-транзистора (MOSFET), так и продвинутые концепции и устройства, такие как короткое-... (MOSFET short-c)
Key Findings
1
Рассматриваются продвинутые концепции и устройства, включая короткоканальные эффекты у МОП-транзисторов.
2
В ней представлены классические модели устройств, такие как модель постепенного канала МОП-транзистора.
3
Книга охватывает фундаментальные темы физики полупроводников, включая теорию энергетических зон.
Research Object
Полупроводниковые приборы (включая МОП-транзисторы и связанные структуры устройств)
Research Subject
Физические принципы и модели полупроводниковых приборов, охватывающие теорию зон энергий, модель плавного канала МОП-транзистора и продвинутые концепции, включая поведение МОП при коротком канале
Publication Details
Publication Date
2002-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest