Полевые транзисторы на основе одно- и многослойных углеродных нанотрубок

Мы изготовили полевые транзисторы на основе отдельных одно- и многослойных углеродных нанотрубок и проанализировали их характеристики. Перенос через нанотрубки определяется преимущественно дырками и при комнатной температуре, по-видимому, имеет диффузионный, а не баллистический характер. Изменяя напряжение на затворе, мы успешно модулировали проводимость устройства на основе однослойной нанотрубки более чем на 5 порядков величины. Многослойные нанотрубки, как правило, не демонстрируют эффекта затвора, однако структурные деформации — в нашем случае сплющивание трубки — могут обеспечить их функционирование в качестве полевых транзисторов.