Контроль зародышеобразования углеродных наностенок методом плазмохимического осаждения из газовой фазы с индуктивно связанной плазмой
Nucleation Control of Carbon Nanowalls Using Inductively Coupled Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
2013-01-01
SCID: 54.1/jtpn3p5r
Discuss with AI
Селективный рост по площадиУглеродные наностенкиИПС-ХОПФКонтроль зародышеобразованияКатализ наночастицами Ti
Figures from the paper
Abstract (AI)
Углеродные наностенки (CNW), представляющие собой самоорганизованную сеть вертикально ориентированных графенов с малым числом слоев, были синтезированы методом плазмохимического осаждения из газовой фазы с индуктивно связанной плазмой (ICP-CVD) с использованием смесей метана и аргона. Значительный интерес представляет выяснение механизма зародышеобразования CNW и управление этим процессом. Мы исследовали раннюю стадию роста CNW на подложках без катализатора и на подложках, катализированных наночастицами титана (Ti). При росте CNW без катализатора перед началом роста вертикальных нанографенов наблюдался индукционный период продолжительностью 1–5 мин, а между вертикальными нанографенами и поверхностью кремниевых (Si) и диоксидкремниевых (SiO2) подложек формировался промежуточный слой. Напротив, при росте на подложках SiO2, покрытых наночастицами Ti, нанографены зарождались непосредственно на наночастицах Ti без формирования базового слоя в течение 30 с, тогда как на поверхности SiO2 в этот период зародышеобразование не наблюдалось. Эти результаты указывают на возможность селективного по площади роста CNW путем управления смещением подложки для избирательного подавления зародышеобразования на поверхностях без катализатора.
Key Findings
1
Управление смещением подложки может обеспечить пространственно-селективный рост углеродных наностенок за счёт подавления зарождения на бескатализаторных участках.
2
С помощью ICP-CVD из смесей метана и аргона синтезированы углеродные наностенки — вертикально ориентированные сети графенов из нескольких слоёв.
3
В течение 30 секунд на поверхности SiO2 без наночастиц зарождение не наблюдалось, что указывает на селективное зарождение на катализаторе.
4
На SiO2, покрытом наночастицами Ti, нанографены зарождались непосредственно на наночастицах Ti в течение 30 секунд без образования базового слоя.
5
На бескатализаторных подложках Si и SiO2 вертикальный рост нанографенов начинался после индукционного периода 1–5 минут и сопровождался формированием промежуточного слоя.
Research Object
Углеродные наностенки (CNW), выращенные методом ICP-CVD на бескатализаторных подложках Si/SiO2 и подложках SiO2, покрытых наночастицами Ti
Research Subject
Механизмы зародышеобразования вертикально ориентированных нанографенов на ранней стадии роста и управление селективным по площади зародышеобразованием, включая индукционный период, формирование промежуточного слоя и рост, инициируемый наночастицами Ti
Publication Details
Publication Date
2013-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest