Перенос заряда в молекулярных электронных переходах: сжатие молекулярного туннельного барьера в режиме сильной связи

Charge transport in molecular electronic junctions: Compression of the molecular tunnel barrier in the strong coupling regime
Sayed Y. Sayed, Jerry A. Fereiro, Haijun Yan, Richard L. McCreery, Adam Johan Bergren
2012-06-01

перенос зарядавыравнивание энергетических уровнеймолекулярные электронные переходырежим сильной связитуннельный барьер
Молекулярные переходы представляют собой, по существу, модифицированные электроды, хорошо известные электрохимикам, в которых электролит заменён проводящим «контактом». Обычно предполагается, что изменение молекулярной структуры изменяет энергетические уровни системы и приводит к изменению барьера переноса. В настоящей работе показано, что проводимость семи различных ароматических молекул, ковалентно связанных с углеродом, соответствует лишь небольшому диапазону (< 0,5 эВ) наблюдаемого барьера переноса, несмотря на широкий диапазон (> 2 эВ) энергий ВЗМО свободных молекул. Эти результаты объясняются влиянием связывания молекул с подложкой. При связывании индуктивные электронные эффекты модулируют энергетические уровни системы, что приводит к сжатию туннельного барьера. Модификация молекул электронодонорными или электроноакцепторными группами изменяет энергии молекулярных орбиталей и энергетический уровень контакта, создавая выравнивающий эффект, который сжимает туннельный барьер до значительно более узкого диапазона, чем ожидалось. Хотя величину туннельного барьера можно изменять посредством использования другого класса молекул, например алканов, применение только ароматических структур приводит к сходным равновесным значениям туннельного барьера для различных структур вследствие частичного переноса заряда между молекулярным слоем и подложкой. Таким образом, система не подчиняется пределу Шоттки—Мотта, а взаимодействие между молекулярным слоем и подложкой влияет на выравнивание энергетических уровней. Эти результаты показывают, что для определения влияния различных электронных факторов, управляющих туннельным барьером, необходимо рассматривать систему в целом.
1
Связывание молекул с подложкой вызывает электронные эффекты, сжимающие туннельный барьер и ослабляющие ожидаемое влияние различий в энергетических уровнях молекул.
2
Различные ароматические структуры стремятся к близкому равновесному значению туннельного барьера, что связывается с частичным переносом заряда между молекулярным слоем и подложкой.
3
Электронодонорные и электроноакцепторные заместители сдвигают молекулярные орбитали и энергетические уровни контакта компенсирующим образом, создавая эффект выравнивания.
4
Молекулярные переходы не подчиняются пределу Шоттки—Мотта; для определения барьера необходимо учитывать связанную систему «молекула—подложка» целиком.
5
Для семи ароматических молекул, ковалентно связанных с углеродом, транспортные барьеры различаются менее чем на 0,5 эВ, хотя энергии ВЗМО свободных молекул охватывают диапазон более 2 эВ.

Молекулярные электронные переходы с ковалентно связанными ароматическими молекулами и углеродными электродами

Сжатие и выравнивание молекулярного туннельного барьера вследствие электронного взаимодействия молекулы с подложкой и частичного переноса заряда

Publication Details
Publication Date
2012-06-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Authors
Sayed Y. Sayed
Jerry A. Fereiro
Haijun Yan
Richard L. McCreery
Adam Johan Bergren
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%