Электровосстановление гафния и электроосаждение его защитных покрытий на молибденовой подложке в хлоридно-фторидном расплаве

Методами циклической вольтамперометрии и импедансной спектроскопии исследовано электровосстановление комплексов HfF₆²⁻ до Hf на молибденовом электроде в расплаве NaCl–KCl–K₂HfF₆–NaF (5 мас.%) в диапазоне температур 973–1123 K. Установлено, что разряд комплексов Hf(IV) до Hf протекает в одну стадию и является необратимым. Коэффициенты диффузии фторидных комплексов Hf(IV) определены методом циклической вольтамперометрии. С помощью импедансной спектроскопии определены стандартные константы скорости переноса заряда. Электроосаждение гафниевых покрытий на молибденовую подложку проводили из расплава NaCl–KCl–K₂HfF₆ (10 мас.%)–NaF (5 мас.%) при катодной плотности тока 5–100 мА·см⁻² и температурах 973, 1023 и 1073 K. Исследовано влияние плотности тока и температуры на шероховатость гафниевых покрытий. Установлено, что полученные гафниевые покрытия имеют значительно более высокую чистоту, чем гафниевый анод, что подтверждает удаление металлических примесей в процессе электроосаждения. Получены данные о кинетике окисления образца с гафниевым покрытием и образца из чистого молибдена, испытанных в смеси воды и кислорода при 773 K. Гафниевое покрытие повышает коррозионную стойкость покрытых пластин по сравнению с чистым молибденом.