Магнитное запоминающее устройство на основе хиральности без постоянного магнита

В настоящее время для компьютерных запоминающих устройств используются различные технологии. Однако существует потребность в универсальном запоминающем устройстве с высокой плотностью и скоростью работы и низким энергопотреблением. Для этого были предложены различные типы магнитных технологий с постоянным магнитом. Недавние исследования переноса заряда показывают, что хиральные молекулы действуют как эффективные спиновые фильтры. В настоящей работе этот эффект используется для демонстрации принципиальной возможности создания нового типа универсального запоминающего устройства на основе хиральности и магнетизма, совместимого с кремниевой технологией и не содержащего постоянного магнита. В частности, для намагничивания слоя никеля (Ni) используется спин-селективный перенос заряда через самоорганизованный монослой полиаланина. Полученная намагниченность соответствует воздействию на слой Ni внешнего магнитного поля напряжённостью 0,4 Тл. Считывание осуществляется при низких токах. Представленная технология способна преодолеть ограничения других магнитных технологий памяти и обеспечить создание недорогих универсальных внутрикристальных запоминающих устройств высокой плотности.