Антиферроэлектрические тонкие пленки с включенной петлёй ферроэлектрического переключения для гигантского отрицательного электроцалорического эффекта
Antiferroelectric thin films embedded with ferroelectric switching loop for giant negative electrocaloric effect
2026-07-01
SCID: 54.1/mse9xnhf
Discuss with AI
тонкая пленка PbZrO3антиферроэлектрические тонкие пленкипетля переключения ферроэлектрикаотрицательный электроокалорический эффекттройная петля гистерезиса
Figures from the paper
Abstract (AI)
Фероические материалы объединяют однопетлевую гистерезисную кривую ферроэлектриков и двухпетлевую гистерезисную кривую антиферроэлектриков, формируя множественные гистерезисные циклы, что может существенно продвинуть технологии накопления энергии, электроцалорического охлаждения и неволатильной многосостояниевой памяти. Однако целенаправленная стабилизация промежуточных состояний, которые объединяют неволатильность ферроэлектриков и поле‑индуцированное фазовое переходное поведение антиферроэлектриков, остаётся фундаментальной задачей. В настоящей работе мы предлагаем стратегию приготовления тонкой плёнки цирконата свинца (PbZrO3) при низкой температуре с введением стабильной ферриэлектрической фазы внутри антиферроэлектрика для достижения трёхпетлевой гистерезисной кривой при больших электрических полях. Микроструктурные особенности показывают, что такое поведение обусловлено наличием Pb–Zr антисайт‑дефектов, действующих как зародыши для полярного порядка, которые индуцируют характерную тройную конфигурацию модуляции диполей (↑↑↓). Для демонстрации прикладного потенциала мы оценили электроцалорический эффект трёхпетлевой PbZrO3 плёнки на основе соотношений Максвелла; предсказанное изменение температуры ΔT может достигать −23.76 К, что примерно на 600% выше по сравнению с антиферроэлектрическими PbZrO3 тонкими плёнками с двухпетлевой гистерезисной кривой. Эти результаты формируют парадигму проектирования для внедрения стабильного ферроэлектрического переключения в антиферроэлектрики и могут открыть возможности для разработки высокоплотных энергохранилищ, неволатильной многосостояниевой памяти и высокоэффективных переключающих устройств.
Key Findings
1
Стратегия низкотемпературной подготовки создает тонкие пленки PbZrO3 со стабильной ферриелетрической фазой, встроенной в антиферроэлектрическую матрицу, что дает тройные петли гистерезиса при больших электрических полях.
2
Встраивание стабильного ферроэлектрического переключения в антиферроэлектрики предлагает парадигму проектирования с потенциальным применением в энергоемком хранении, невозвратной многосостоянийной памяти и эффективных переключающих устройствах.
3
Оценка через соотношения Максвелла предсказывает гигантское отрицательное электро-калорическое изменение температуры ΔT равное −23.76 К для тонкой пленки PbZrO3 с тройной петлей гистерезиса.
4
Дефекты перестановки Pb и Zr (Pb Zr antisite) служат семенами полярного упорядочения, индуцируя характерную тройную модуляцию диполей (↑↑↓), ответственной за тройную петлю гистерезиса.
5
Предсказанный электро-калорический эффект примерно на 600% превышает соответствующий эффект в PbZrO3 антиферроэлектрических тонких пленках с двойной петлей гистерезиса.
Research Object
Антиферроэлектрические тонкие пленки иттрида свинца-цирконата (PbZrO3), содержащие стабилизированную ферриелектрическую/ферроэлектрическую переключающую фазу
Research Subject
Внедрение и стабилизация ферроэлектрического петлевого переключения (тройная гистерезисная поведение, вызванное Pb–Zr анти-сайтовыми дефектами, индуцирующими полярный порядок) и его влияние на электро-калорический эффект (гигантское отрицательное изменение температуры ΔT) и связанное с этим поведение для энергетического накопления/многоуровневой памяти
Publication Details
Publication Date
2026-07-01
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
0
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest