Индуцированные электрическим полем, температурой и напряжением фазовые переходы в релаксорных ферроэлектрических монокристаллах

Electric-field-, temperature-, and stress-induced phase transitions in relaxor ferroelectric single crystals
N. Setter, Matthew J. Davis, Dragan Damjanović
2006-01-27

одно кристаллы PMN-xPT и PZN-xPTиндуцированные электрическим полем фазовые переходыпуть поворота поляризации MA–MC–T (псевдоромбоэдрический–псевдоорторомбический–тетрагональный)индуцированные напряжением фазовые переходытемпературная устойчивость фаз
Фазовые переходы, индуцированные электрическим полем, были выявлены посредством макроскопических измерений деформации при температурах от 25 °C до 100 °C в [001]C-полированных одноосных кристаллах (1−x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−xPbTiO3 [(PMN−xPT); x = 0.25, 0.305, 0.31] и (1−x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−xPbTiO3 [(PZN−xPT); x = 0.05, 0.065, 0.085]. Такие измерения представляют собой удобный метод определения термической и электрической фазовой стабильности в широком диапазоне составов и дают прямые доказательства фазовых переходов первого рода. Путь поворота поляризации псевдоромбической (MA) → псевдоортогональной (MC) → тетрагональной (T) подтверждается двумя подобными первому роду гистерезисными разрывами в деформации в рамках одного унитарного электрического поля для PZN-5PT, PMN-30.5PT и PMN-31PT, тогда как в PMN-25PT наблюдается единичный переход MA → T, аналогичный первому роду. Это хорошо согласуется с in situ структурными исследованиями, опубликованными ранее. Составлены диаграммы фазового состояния в координатах электрическое поле–температура (E–T), показывающие общие закономерности устойчивости фаз MA, MC и T при изменении температуры и электрического поля в полированных образцах для указанного диапазона составов. Обсуждается сложный вопрос о том, являются ли состояния MA и MC истинными фазами или же пьезоэлектрически искаженными вариантами их ромбической (R) и ортогональной (O) родительских фаз. Наконец, индуцированные напряжением фазовые переходы продемонстрированы в [001]C-полированном PZN-4.5PT при прикладывании умеренного сжимающего напряжения (<100 MPa) как вдоль, так и перпендикулярно направлению полировки (соответственно продольный и поперечный режимы). Вероятный путь поворота — R → MB → O, через первопорядковый гистерезисный поворот в MB моноклинной плоскости. Результаты представлены наряду с подробным обзором ранее сообщавшихся электрически и механически индуцированных фазовых переходов в PMN−xPT и PZN−xPT.
1
Построены электрическое-полtemperatureные (E–T) фазовые диаграммы, показывающие общие тенденции устойчивости фаз MA, MC и T в зависимости от температуры и электрического поля для изученных композиций.
2
Для PMN-25PT наблюдается единичный первый-порядковый переход MA→T вместо последовательности MA→MC→T.
3
Для PZN-5PT, PMN-30.5PT и PMN-31PT два первый-порядковые гистерезисные разрыва деформации в одном унитарном электрическом цикле указывают на путь вращения поляризации MA→MC→T.
4
Макроскопические измерения деформации доказали электрически-индуцированные фазовые переходы при температурах 25°C–100°C в монокристаллах [001]C-поляных PMN-xPT (x=0.25,0.305,0.31) и PZN-xPT (x=0.05,0.065,0.085).
5
Умеренная сжимающая механическая нагрузка (<100 МПа), приложенная продольно и поперечно к [001]C-поляному PZN-4.5PT, индуцирует стрессовые фазовые переходы, вероятно по пути R→MB→O через первый-порядковое гистерезисное вращение в моноклинной плоскости MB.

Релаксорные ферроэлектрические монокристаллы (полированные по [001]C образцы PMN–xPT и PZN–xPT)

Индуцированные электрическим полем, температурой и напряжением фазовые переходы и их устойчивость, пути поворота поляризации и гистерезисные дискретности деформации первого рода в этих полированных монокристаллах

Publication Details
Publication Date
2006-01-27
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Authors
N. Setter
Matthew J. Davis
Dragan Damjanović
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%