Халькогенидные перовскиты (ABS3; A = Ba, Ca, Sr; B = Hf, Sn): новый класс полупроводников для оптоэлектроники
Chalcogenide Perovskites (ABS3; A = Ba, Ca, Sr; B = Hf, Sn): An Emerging Class of Semiconductors for Optoelectronics
2022-07-11
SCID: 54.1/s36a7542
Discuss with AI
ABS3 (A = Ba, Ca, Sr; B = Hf, Sn)модель полярона ФейнманаGW и BSEхалькогенидные перовскитыэнергия связи экситона
Figures from the paper
Abstract (AI)
Могут служить наилучшим выбором для фотовольтаических приложений.
Key Findings
1
Халькогенидные перовскиты ABS3 (A = Ba, Ca, Sr; B = Hf, Sn) исследованы по возбуждённым и поляронным свойствам с использованием гибридного DFT, GW и BSE.
2
Электронный вклад в дипольную (диэлектрическую) экранировку доминирует над ионным вкладом в этих материалах.
3
Расчёты по модели полярона Фейнмана показывают, что зарядоразделённые поляронные состояния менее устойчивы, чем связанные экситоны.
4
Расчёты спектроскопически ограниченной максимальной эффективности указывают, что CaSnS3 является наиболее перспективным халькогенидным перовскитом для фотоэлектрических приложений.
5
У этих халькогенидных перовскитов энергия связи экситона выше, чем у трёхмерных неоргано‑органических гибридных перовскитов.
Research Object
Халькогенидные перовскиты ABS3 (A = Ba, Ca, Sr; B = Hf, Sn), в частности соединения типа CaSnS3
Research Subject
Экситонные и поляронные свойства (энергия связи экситонов, электронный и ионный вклад в диэлектрическое экранирование, параметры поляронов и их устойчивость) и их влияние на оптоэлектронные/фотовольтаические характеристики
Publication Details
Publication Date
2022-07-11
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
68
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest