Подавление спонтанного излучения в твердотельной физике и электронике
Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics
1987-05-18
SCID: 54.1/unh2unq5
Discuss with AI
электромагнитная запрещающая зонаподавленная спонтанная эмиссияполупроводниковые устройстваконтроль спонтанной эмиссиитрехмерно периодическая диэлектрическая структура
Figures from the paper
Abstract (AI)
Давно установлено, что спонтанное излучение атомов не является неизменным и фиксированным свойством взаимодействия материи с пространством, а может управляться посредством изменения свойств поля излучения. То же самое верно и для твердого тела, где спонтанное излучение играет фундаментальную роль, ограничивая характеристики полупроводниковых лазеров, гетеропереходных биполярных транзисторов и солнечных элементов. Если трехмерно периодическая диэлектрическая структура обладает электромагнитной запрещенной зоной, перекрывающей электронный краевой уровень зоны (electronic band edge), то спонтанное излучение может быть строго запрещено.
Key Findings
1
Трехмерно периодическая диэлектрическая структура с электромагнитной запрещенной зоной, перекрывающей электронную краевую зону, может строго запрещать спонтанное излучение.
2
Контроль спонтанного излучения применим как к атомам, так и к твердотельным системам.
3
Спонтанное излучение не является неизменным и может контролироваться путем изменения свойств поля излучения.
4
Спонтанное излучение ограничивает характеристики полупроводниковых лазеров, биполярных гетеропереходных транзисторов и солнечных батарей.
Research Object
Спонтанное излучение атомов/электронных переходов в трёхмерно периодических диэлектрических (фотонных кристаллах) твердотельных структурах, у которых электромагнитная запрещённая зона перекрывает электронную краевую зону
Research Subject
Подавление/управление спонтанным излучением путём изменения свойств поля излучения за счёт электромагнитной запрещённой зоны в твердотельных фотонных структурах и его влияние на предельную производительность полупроводниковых лазеров, гетеропереходных биполярных транзисторов и солнечных элементов
Publication Details
Publication Date
1987-05-18
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest