Органо-неорганические гибридные галогенидные перовскиты для запоминающих устройств, транзисторов и искусственных синапсов

Уникальные характеристики галогенидных перовскитов (HP), отсутствующие у традиционных полупроводников и оксидов металлов, способствовали применению HP в электронных устройствах, выходящем за пределы оптоэлектроники, включая солнечные элементы, фотодетекторы и светодиоды. В настоящей работе рассмотрены последние достижения в области устройств памяти и логических устройств на основе HP, таких как резистивная память (то есть резистивная оперативная память (RRAM) или мемристоры), транзисторы и искусственные синапсы, с акцентом на присущие HP необычные свойства: i) настраиваемую ширину запрещённой зоны, ii) лёгкий контроль основных носителей заряда, iii) быструю миграцию ионов и iv) сверхгибкость. Представлены различные методы изготовления тонких плёнок HP — от растворных методов до вакуумных процессов. Современные исследования в этой области, подчёркивающие композиционную гибкость HP, свидетельствуют о том, что HP являются перспективными кандидатами для электронных устройств следующего поколения. Благодаря уникальным электрическим свойствам, синтезу при низкой стоимости и низкой температуре, а также композиционной и механической гибкости, HP обладают огромным потенциалом для создания новой платформы будущих электронных устройств, а интенсивные исследования проложат путь к поиску новых материалов на основе HP, выходящих за пределы традиционных полупроводников на основе кремния и отвечающих требованиям эпохи «More-than-Moore».