Кремниевый синапс на одном транзисторе

A single-transistor silicon synapse
C. Diorio, P. Hasler, A. Minch, Carver Mead
1996-01-01

аналоговое обучениеМОП-транзистор с плавающим затвороминжекция горячих электроновэнергонезависимая памятькремниевый синапс
Мы разработали новый кремниевый МОП-транзистор с плавающим затвором для аналоговых обучающих приложений. Хранение данных в памяти является энергонезависимым; инжекция горячих электронов и туннелирование электронов обеспечивают двунаправленное обновление памяти. Поскольку эти обновления зависят как от сохранённого значения памяти, так и от напряжений на выводах транзистора, синапс может реализовывать функцию обучения. На основе физики процессов туннелирования и инжекции мы вывели правило обновления памяти и исследовали обучение синапса в прототипе матрицы. В отличие от обычных устройств EEPROM, синапс позволяет одновременно считывать и записывать данные памяти. Поэтому матрицы синапсных транзисторов могут параллельно вычислять как выходной сигнал матрицы, так и локальные обновления памяти. Синапс имеет малые размеры и обычно работает при уровнях тока ниже порогового; это позволит создавать плотные кремниевые обучающиеся системы с низким энергопотреблением.
1
Разработан кремниевый МОП-транзистор с плавающим затвором для аналогового обучения и энергонезависимого хранения памяти.
2
Горячая электронная инжекция и туннелирование электронов обеспечивают двунаправленное обновление состояния памяти.
3
Обновление памяти зависит как от сохранённого значения, так и от напряжений на выводах, что позволяет реализовать физически выведенное правило обучения.
4
Прототипные массивы продемонстрировали параллельное обучение синапсов и одновременное чтение и запись памяти, в отличие от обычных EEPROM.
5
Компактный синапс обычно работает при токах ниже порогового уровня, обеспечивая создание плотных кремниевых систем обучения с низким энергопотреблением.

кремниевый MOS-транзисторный синапс с плавающим затвором и его прототипные массивы

двунаправленное аналоговое обновление энергонезависимой памяти и обучающее поведение, обеспечиваемые инжекцией горячих электронов и туннелированием электронов, включая параллельное считывание и запись

Publication Details
Publication Date
1996-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Authors
C. Diorio
P. Hasler
A. Minch
Carver Mead
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%