Кремниевый синапс на одном транзисторе
A single-transistor silicon synapse
1996-01-01
SCID: 54.1/vsakdh5b
Discuss with AI
аналоговое обучениеМОП-транзистор с плавающим затвороминжекция горячих электроновэнергонезависимая памятькремниевый синапс
Figures from the paper
Abstract (AI)
Мы разработали новый кремниевый МОП-транзистор с плавающим затвором для аналоговых обучающих приложений. Хранение данных в памяти является энергонезависимым; инжекция горячих электронов и туннелирование электронов обеспечивают двунаправленное обновление памяти. Поскольку эти обновления зависят как от сохранённого значения памяти, так и от напряжений на выводах транзистора, синапс может реализовывать функцию обучения. На основе физики процессов туннелирования и инжекции мы вывели правило обновления памяти и исследовали обучение синапса в прототипе матрицы. В отличие от обычных устройств EEPROM, синапс позволяет одновременно считывать и записывать данные памяти. Поэтому матрицы синапсных транзисторов могут параллельно вычислять как выходной сигнал матрицы, так и локальные обновления памяти. Синапс имеет малые размеры и обычно работает при уровнях тока ниже порогового; это позволит создавать плотные кремниевые обучающиеся системы с низким энергопотреблением.
Key Findings
1
Разработан кремниевый МОП-транзистор с плавающим затвором для аналогового обучения и энергонезависимого хранения памяти.
2
Горячая электронная инжекция и туннелирование электронов обеспечивают двунаправленное обновление состояния памяти.
3
Обновление памяти зависит как от сохранённого значения, так и от напряжений на выводах, что позволяет реализовать физически выведенное правило обучения.
4
Прототипные массивы продемонстрировали параллельное обучение синапсов и одновременное чтение и запись памяти, в отличие от обычных EEPROM.
5
Компактный синапс обычно работает при токах ниже порогового уровня, обеспечивая создание плотных кремниевых систем обучения с низким энергопотреблением.
Research Object
кремниевый MOS-транзисторный синапс с плавающим затвором и его прототипные массивы
Research Subject
двунаправленное аналоговое обновление энергонезависимой памяти и обучающее поведение, обеспечиваемые инжекцией горячих электронов и туннелированием электронов, включая параллельное считывание и запись
Publication Details
Publication Date
1996-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest