Электронные состояния и люминесценция в пористых кремниевых квантовых точках: роль кислорода
Electronic States and Luminescence in Porous Silicon Quantum Dots: The Role of Oxygen
1999-01-04
SCID: 54.1/w5at79sv
Discuss with AI
фотолюминесценцияпористый кремнийквантовое ограничениекремниевые квантовые точкиповерхностная пассивация
Figures from the paper
Abstract (AI)
В зависимости от размера фотолюминесценцию (ФЛ) кремниевых квантовых точек в пористом кремнии можно настраивать от ближнего инфракрасного до ультрафиолетового диапазона, если их поверхность пассивирована связями Si–H. После воздействия кислорода ФЛ смещается в красную область вплоть до 1 эВ. Это смещение, а также изменения интенсивности и времени затухания ФЛ показывают, что электронные состояния кремниевых квантовых точек определяются как квантовым ограничением, так и пассивацией поверхности. Теоретическая модель, согласно которой при образовании связи Si=O в запрещённой зоне меньших квантовых точек появляются новые электронные состояния, хорошо согласуется с экспериментальными данными. Этот результат проясняет спор о механизмах ФЛ в пористом кремнии.
Key Findings
1
Теоретическая модель связывает воздействие кислорода с появлением новых электронных состояний в запрещённой зоне малых точек при образовании связей Si=O и хорошо согласуется с экспериментом.
2
Изменения излучения показывают, что электронные состояния квантовых точек кремния совместно определяются квантовым ограничением и пассивацией поверхности.
3
Воздействие кислорода смещает фотолюминесценцию в красную область вплоть до 1 эВ и изменяет интенсивность и время затухания излучения.
4
Фотолюминесценцию квантовых точек кремния можно настраивать от ближнего инфракрасного до ультрафиолетового диапазона изменением размера при пассивации поверхности связями Si–H.
5
Результаты проясняют противоречия между различными механизмами фотолюминесценции в пористом кремнии.
Research Object
квантовые точки кремния в пористом кремнии с поверхностью, пассивированной связями Si–H или кислородом
Research Subject
влияние квантового ограничения и поверхностной пассивации, включая индуцированные связью Si=O состояния в запрещённой зоне, на электронные состояния и фотолюминесценцию
Publication Details
Publication Date
1999-01-04
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest