Односторонняя отрицательная дифференциальная проводимость и выраженная нулевосмещения нелинейность в трёхбарьерных резонансных туннельных диодах InAs/AlSb
One-sided negative differential conductance and pronounced zero-bias nonlinearity in InAs/AlSb triple-barrier resonant tunneling diodes
2026-06-17
SCID: 54.1/wgyzcm72
Discuss with AI
InAs/AlSb тройные барьерные резонансные туннельные диодыодносторонняя отрицательная дифференциальная проводимостькоэффициент пик-коэффициент долины токарезонанс квазисвязанных состоянийнелинейность при нулевом смещении
Figures from the paper
Abstract (AI)
Сообщается о трёхбарьерных резонансных туннельных диодах (TB-RTD) на основе InAs/AlSb, демонстрирующих одностороннюю отрицательную дифференциальную проводимость (NDC) и выраженную нулевосмещения нелинейность при комнатной температуре. Пиковый ток 320.1 µA зарегистрирован при отрицательном смещении коллектора -0.34 В, с отношением пика к впадине тока 6.61. Наблюдаемая поляритетно-селективная проводимость интерпретируется как резонансный канал, включающий первое квазисвязное состояние в яме со стороны коллектора и второе квазисвязное состояние в яме со стороны эмиттера. При нулевом смещении получен абсолютный коэффициент кривизны 23.14 V-1, что указывает на сильное внутреннее выпрямляющее поведение. Эти результаты подчёркивают пригодность трёхбарьерных InAs/AlSb TB-RTD для изучения асимметричного резонансного транспорта в квантовых гетероструктурах III-V.
Key Findings
1
Пиковый ток 320,1 µA наблюдается при отрицательном коллекторном смещении -0,34 В, с отношением пика к впадине 6,61.
2
Абсолютный коэффициент кривизны при нулевом смещении 23,14 V^-1 демонстрирует сильную внутреннюю выпрямляющую способность (ярко выраженную нулевую нелинейность).
3
InAs/AlSb TB-RTD являются полезной платформой для изучения асимметричного резонансного транспорта в III‑V квантовых гетероструктурах.
4
Тройные барьерные резонансные туннельные диоды InAs/AlSb (TB-RTD) демонстрируют однонаправленную отрицательную дифференциальную проводимость (NDC) при комнатной температуре.
5
Транспорт селективен по полярности и объясняется резонансным каналом между первым квазисвязанным состоянием в коллекторной яме и вторым квазисвязанным состоянием в эмиттерной яме.
Research Object
Трёхбарьерные резонансные туннельные диоды InAs/AlSb (TB-RTD)
Research Subject
Односторонняя отрицательная дифференциальная проводимость (NDC), выраженная нелинейность при нулевом смещении (внутренняя выпрямляющая способность) и полярно-селективный асимметричный резонансный перенос, обусловленные квазисвязанными состояниями в потенциальных ямах со стороны эмиттера и коллектора
Publication Details
Publication Date
2026-06-17
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
0
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest