Исследование поликристаллического кремния, полученного методом алюмини-индуцированной кристаллизации, в зависимости от условий процесса

В данной работе рассматривается альтернативный метод получения поликристаллического кремния и изучается изменение его электрофизических характеристик в зависимости от параметров процесса. В качестве альтернативы низкотемпературному (низкодавлению) методу химического осаждения из паровой фазы применяется алюмини-индуцированная кристаллизация (AIC), которая позволяет получать пленки поликристаллического кремния с значительно большим размером зерен, что уменьшает вклад границ зерен. Всестороннее исследование поликристаллического кремния проведено с использованием ряда микроскопических (оптическая микроскопия, OM; сканирующая электронная микроскопия, SEM), спектроскопических (Раман, XPS) и дифракционных (электронная обратнорассеянная дифракция, EBSD; рентгеновская дифракция, XRD) аналитических методов. Также рассмотрена возможность самодовливания (self-doping) при AIC, в результате чего получены образцы поликристаллического кремния с различной удельной электропроводностью (сопротивлением). Дополнительно исследованы изменения температурного коэффициента сопротивления в зависимости от технологических параметров процесса AIC.