Комплексный экспериментальный анализ эффектов излома в S22 и h21 для GaN HEMT

В данной работе впервые подробно проанализирован феномен излома в параметре S22, наблюдаемый в технологии GaN HEMT. Для всестороннего понимания эффекта излома (KE) исследована его зависимость от температуры и условий смещения. Полученные результаты ясно показывают, что зависимость KE от режима работы следует главным образом связывать с крутизной характеристики, которая играет определяющую роль в возникновении этого эффекта. Кроме того, анализ расширен исследованием пика модуля h21; показано, что при низком напряжении сток–исток этот пик исчезает вследствие увеличения внутренней выходной проводимости. Важность данного исследования обусловлена тем, что точная и полная характеристика этих аномальных явлений позволяет специалистам по микроволновой технике корректно учитывать их на этапах моделирования и проектирования.