Исследование эффекта излома вольт-амперной характеристики при моделировании AlGaN/GaN HEMT в режиме больших сигналов

В статье исследуется влияние эффекта излома вольт-амперной характеристики на характеристики AlGaN/GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) в режиме больших сигналов. Предложена усовершенствованная компактная модель для точного описания эффекта излома вольт-амперной характеристики. Также учитывается зависимость этого эффекта от режима смещения. Для верификации предложенной модели использованы AlGaN/GaN HEMT с различной шириной затвора. На основе предложенной модели исследовано влияние эффекта излома вольт-амперной характеристики на характеристики в режиме больших сигналов. Результаты показывают, что в области насыщения этот эффект приводит к ухудшению таких характеристик, как выходная мощность, коэффициент усиления и коэффициент полезного действия по добавленной мощности. Кроме того, установлено, что влияние эффекта излома вольт-амперной характеристики зависит от входной мощности и точки статического смещения. Для верификации результатов моделирования использованы временные диаграммы и динамические нагрузочные линии в режиме переменного тока. Полученные результаты будут полезны для оптимизации практических схемотехнических решений.