Усиленная инжекцией миноритарных носителей отжиговая рекомбинация радиационных повреждений в солнечных элементах на InGaP

Сообщается об наблюдении усиленного инжекцией миноритарных носителей отжига радиационно-индуцированных дефектов в InGaP. Результаты облучения электронами с энергией 1 МэВ демонстрируют лучшую радиационную стойкость солнечных элементов InGa0.5P0.5 по сравнению с GaAs на Ge. Кроме того, показано, что инжекция миноритарных носителей при условии прямого смещения усиливает отжиг дефектов в InGaP и приводит к восстановлению свойств солнечных элементов на InGaP. Эти результаты позволяют предположить, что радиационная стойкость устройств на основе InGaP, таких как многопереходные солнечные элементы InGaP/GaAs(/Ge) и светоизлучающие приборы InGaP(As), дополнительно улучшается при инжекции миноритарных носителей.