Отжиг дефектов, индуцированных электронным облучением, посредством инжекции носителей меньшинства в солнечных элементах на InP

Minority-carrier injection annealing of electron irradiation-induced defects in InP solar cells
Makoto Yamaguchi, K. Ando, Akio Yamamoto, Chikao Uemura
1984-02-15
SCID:  54.1/6s47y6cf Discuss with AI
солнечные элементы на основе InPдефекты, вызванные электронным облучениемотжиг при прямом смещенииотжиг при освещенииотжиг дефектов за счет инжекции миноритарных носителей
Abstract (AI)
Сообщается о первом наблюдении отжига дефектов, индуцированных радиацией, в InP при инжекции носителей меньшинства. Показано, что инжекция носителей меньшинства, вызванная как приложением прямого смещения, так и освещением при комнатной температуре после электронного облучения, усиливает отжиг дефектов в p‑InP и приводит к восстановлению свойств солнечных элементов на InP. Эти результаты позволяют предположить, что большинство устройств на основе InP, работающих в режиме инжекции носителей меньшинства, более радиационно-стойки, чем устройства, основанные на других материалах.
Key Findings
1
Усиленный отжиг дефектов приводит к восстановлению характеристик солнечных элементов на InP после электронного облучения.
2
Первое зарегистрированное наблюдение отжига радиационно-индуцированных дефектов в InP при инжекции миноритарных носителей.
3
Сделан вывод, что устройства на основе InP в режиме работы с инжекцией миноритарных носителей более радиационно-стойки по сравнению с устройствами на других материалах.
4
Инжекция миноритарных носителей посредством прямого смещения или светового освещения при комнатной температуре усиливает отжиг дефектов в p-InP после электронного облучения.
Research Object

Облучённые электронным излучением p-типовые солнечные элементы на основе фосфида индия (InP)

Research Subject

Отжиг (рекомбинационно-инжекционный аннеалинг) дефектов, вызванных радиацией, при инжекции неосновных носителей и восстановление параметров солнечных элементов при прямом смещении или освещении при комнатной температуре

Publication Details
Publication Date
1984-02-15
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Authors
Makoto Yamaguchi
K. Ando
Akio Yamamoto
Chikao Uemura
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat →
Make a presentation
100%