Исследование моделирования приближённой литографии с использованием измерений скорости растворения и расчёта распределений интенсивности света в фоторезисте

В отчёте описаны результаты исследования моделирования профиля резиста при приближённой печати с использованием распределения интенсивности света и измеренных значений скорости растворения — метода, учитывающего эффект зазора (влияние расстояния между маской и пластиной на аэральный образ и профили резиста). Мы рассчитываем распределение интенсивности света с учётом эффекта зазора на основе теории Ван Четтерта–Зернике и уравнения Хопкинса в качестве модели распределения интенсивности света в слое резиста для приближённой печати. Значения скорости растворения получены с помощью прибора для измерения толщины пленки резиста во время проявления. Моделирование профиля резиста выполняется с использованием этих объединённых данных. Для верификации корректности моделирования мы используем сканирующий электронный микроскоп (SEM) для наблюдения профилей резиста, полученных из позитивного резиста на основе диазонафтохинона (DNQ) и новолаковой смолы для толстых пленок, варьируя зазоры в маске с помощью выравнивателя маски, который использует широкополосный свет 350 нм — 450 нм, и сравниваем результаты с моделированием. Результаты моделирования совпадают с наблюдениями SEM, что подтверждает обоснованность предлагаемого метода.