Высококачественный пассивирующий слой оксида алюминия для солнечных элементов на основе кристаллического кремния, нанесённый методом плазмохимического осаждения из газовой фазы в параллельной пластинчатой системе

Исследован гидрогенизированный оксид алюминия (a-Al1−xOx:H) в качестве высококачественного пассивирующего слоя на тыльной поверхности солнечных элементов на основе кристаллического кремния. Плёнки a-Al1−xOx:H осаждали методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) с использованием смеси триметилалюминия (TMA), диоксида углерода (CO2) и водорода (H2) при низкой температуре подложки, составляющей примерно 200 °C. Соотношение CO2 и TMA в процессе осаждения и последующий термический отжиг являются ключевыми факторами достижения высококачественной пассивации. Плёнка a-Al1−xOx:H толщиной 28 нм, осаждённая методом PECVD, продемонстрировала низкую скорость поверхностной рекомбинации, составляющую примерно 10 см/с.