Разработка импульсного усилителя мощности на GaN HEMT диапазона X мощностью 40 Вт

В статье представлена разработка импульсного усилителя мощности на GaN HEMT диапазона X (9–10 ГГц) мощностью 40 Вт. В качестве активного устройства выбран коммерчески доступный кристалл GaN HEMT производства TriQuint. Оптимальные входные и выходные импедансы GaN HEMT определены по результатам измерений методом нагрузочно-тяговых характеристик с использованием автоматизированной системы настройки фирмы Maury Inc., а также моделирования методом нагрузочно-тяговых характеристик с применением нелинейной модели TriQuint. Согласующая схема усилителя мощности комбинированного типа с трансформатором импеданса разработана с использованием электромагнитного совместного моделирования. Изготовленный усилитель мощности размером 15 × 17,8 мм² обеспечивает коэффициент полезного действия более 32%, коэффициент усиления по мощности 8,7–6,7 дБ и выходную мощность 46,7–44,7 дБм в диапазоне 9–10 ГГц при длительности импульса 10 мкс и скважности 10%.