Эффективная характеристика масок с помощью автоматического извлечения контуров и закруглений углов
Efficient mask characterization through automated contour and corner rounding extraction
2023-10-05
SCID: 54.1/b3dx8nqs
Discuss with AI
моделирование и симуляция EUV-литографииоднообразие размеров на пластине (CDU)контурная характеристика маскискругление углов (CR)контуры маски из SEM сверху
Figures from the paper
Abstract (AI)
Однородность CD на пластинах (CDU) и точность воспроизведения рисунка являются важными показателями при повышении выхода продукции и масштабировании на более мелкие размеры. Кроме контроля флуктуаций процесса (например, фокус, доза), равномерности толщин пленок в стеке пластин и качества изображения (например, контраст), для оптимизации этих показателей существенны качество изготовления маски и модели оптической коррекции близости (OPC). Следовательно, корректная характеристика записанных размеров маски становится все более важной, особенно по мере роста сложности рисунка маски за счет обратной литографии (inverse lithography technology, ILT) и необходимости криволинейных или всевекторных конструкций. Оценка качества маски на основе контуров, в отличие от традиционной калибровочной (gauge) размерной оценки, позволяет естественным образом фиксировать дефекты маски, такие как закругление углов поглотителя (corner rounding, CR) в сложных формах, которые трудно измерить и классифицировать, используя лишь несколько калибров. В настоящем исследовании мы изучаем методы контурной характеристики масок — включая однородность CD и площади, линейность и определение CR — для оценки качества маски. Мы представляем метод и рабочий процесс для автоматического извлечения контуров и определения значений CR маски по SEM-изображениям маски в плане. Контурная метрология и анализ данных затем используются для количественной оценки указанных свойств маски. Наконец, в качестве начального подхода к исследованию влияния качества маски на печать на пластинах мы применяем общий EUV-модель к идеальным и несовершенным маскам и сравниваем смоделированные контуры. Использование реалистичных рисунков масок для моделирования и симуляции литографии считается необходимым для достижения требуемой точности для передовых узлов и технологий.
Key Findings
1
Применение общего EUV-моделя к идеальным и несовершенным маскам демонстрирует влияние качества маски (включая извлечённые контуры/CR) на моделируемую печать на пластине.
2
Контурная характеристика маски позволяет более эффективно фиксировать дефекты маски, такие как скругление углов (CR) поглощающего слоя, чем традиционные измерения по характерным размерам для сложных форм.
3
Контурная метрология позволяет количественно оценивать свойства маски, включая однородность CD и площади, линейность и скругление углов.
4
Авторы представляют автоматизированный метод и поток для извлечения контуров и определения значений скругления углов (CR) по топ-даун SEM-изображениям маски.
5
Использование реалистичных шаблонов маски и контурно-выведенных дефектов маски необходимо для точного литографического моделирования и симуляции на передовых технологических узлах.
Research Object
Фотошаблон (записанный маск) — геометрические контуры и скругление углов абсорбера, зафиксированные на SEM-изображениях сверху
Research Subject
Автоматизированная контурная характеристика размеров маски с фокусом на скруглении углов (CR), равномерности CD и площади, а также линейности, извлекаемых из контуров SEM для оценки качества маски и его влияния на печать на пластине посредством моделирования
Publication Details
Publication Date
2023-10-05
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
4
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest