Вычислительный метод на основе правил для коррекции углов неманхэттенских геометрий в фотолитографии с масочным выравнивателем

В фотолитографии с приближённым (proximity) масочным выравнивателем дифракция света на структуре маски является основным источником искажений формы изображения, таких как укорочение концов линий и скругление углов. Одним из признанных методов смягчения влияния дифракции является оптическая коррекция близости (optical proximity correction), которая предполагает преднамеренное изменение элементов фотомаски на субразрешающем уровне для компенсации таких искажений с целью повышения точности воспроизведения и однородности напечатанных элементов. В то время как ранее этот подход применялся к маскам, содержащим только прямоугольные формы в горизонтальной или вертикальной ориентации, называемые манхэттенскими геометриями, мы показываем здесь возможности вычислительной литографии с масочным выравнивателем, расширяя оптическую коррекцию близости на неманхэттенские геометрии. Мы объединяем строгий метод моделирования распространения света с оптимизацией роя частиц (particle swarm optimization) для определения подходящих шаблонов маски, адаптированных к каждой встречающейся на маске особенности. Улучшение качества рисунка демонстрируется на экспериментальных отпечатках. Наш метод расширяет применение proximity-лихографии в оптическом производстве, что требуется для множества микрооптических устройств.