Термодинамический анализ окисления ZrB2–SiC: образование обеднённой по SiC зоны

Разработана термодинамическая модель для объяснения образования слоя, обеднённого по SiC, при окислении ZrB2–SiC в воздухе при 1500 °C. Предлагаемая модель указывает, что структура, состоящая из (1) кремнезёмно‑богатого слоя, (2) обогащённого Zr окисленного слоя и (3) слоя диборида циркония, обеднённого по SiC, является термодинамически стабильной. Слой, обеднённый по SiC, формировался вследствие активного окисления SiC. Частичное давление кислорода в слое, обеднённом по SiC, рассчитано в пределах от 4.0 × 10−14 до 1.8 × 10−11 Па. Несмотря на активное окисление SiC, общий процесс согласуется с пассивным окислением и образованием защитного поверхностного слоя.