Инжекционно-усиленное отплавление радиационных повреждений солнечных элементов на InP

В статье показано, что инжекция миноритарных носителей, вызванная прямым смещением и освещением при низкой плотности тока и кратковременной инжекции при комнатной температуре, может приводить к усиленному восстановлению радиационно-индуцированных дефектов в p-InP и к восстановлению радиационных повреждений в солнечных элементах с переходом InP n+-p. Анализ методом транситорной спектроскопии глубоких уровней показывает, что основные дефектные центры H4 (EV + 0,37 эВ) и E2 (EC − 0,19 эВ) в p-InP демонстрируют инжекционно-усиленное отплавление, которое является эффектом, усиленным рекомбинацией, с пониженной энергией активации 0,133 эВ. Значительное восстановление радиационных повреждений солнечных элементов InP n+-p за счёт инжекции миноритарных носителей в основном обусловлено восстановлением длины диффузии миноритарных носителей и уменьшением тока рекомбинации. Эти улучшения преимущественно связаны с аннигиляцией основных дефектных центров H4 и E2 в p-InP слое вследствие инжекции.