Стабилизация доменных структур в Rb-легированном KTiOPO4 для высокотемпературных процессов

Предложен метод стабилизации доменной структуры в периодически полированных образцах KTiOPO4, легированных рубидием (Rb), при высоких температурах. Сокращение доменов вдоль b-кристаллографической оси, наблюдаемое при отжиге кристаллов при высоких температурах, подавляется при удалении торцов доменов вдоль b-оси. Кроме того, исследована термическая стабильность самособираемых доменных решеток с субмикронной средней периодичностью 650 ± 200 нм и шириной домена 225 ± 75 нм в миллиметровых образцах, и показано, что ключевым фактором устойчивости доменов является ширина домена, а не расстояние между доменами.