Миллиметровый GaN HEMT для применения в усилителях мощности

Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия (GaN HEMT) для применения в мощных усилителях миллиметрового диапазона. Прибор с длиной затвора 80 нм и барьерным слоем InAlN продемонстрировал высокий ток стока, превышающий 1,2 А/мм, и высокое напряжение пробоя 73 В. Были достигнуты граничная частота усиления (fT) 113 ГГц и максимальная частота генерации (fmax) 230 ГГц. Плотность выходной мощности достигла 1 Вт/мм при линейном коэффициенте усиления 6,4 дБ в результате измерений методом согласования нагрузки на частоте 90 ГГц. Были также извлечены параметры эквивалентной схемы миллиметрового InAlN/GaN HEMT, и показано, что данная модель пригодна для моделирования мощностных характеристик в миллиметровом диапазоне. Кроме того, представлены предварительные результаты испытания при постоянном смещении.