Искусственные синапсы на основе органических электрохимических транзисторов с планарным затвором

Artificial Synapses Based on in-Plane Gate Organic Electrochemical Transistors
Jia Sun, Guangyang Gou, Yongli Gao, Jun He, Lingan Kong, Junliang Yang, Qing Wan, Chuan Qian
2016-09-08

искусственные синапсыорганические ППТ с ионно-гелевым затвороморганические электрохимические транзисторыполи(3-гексилтиофен)кратковременная пластичность
Создание биологических синапсов с использованием электронных устройств рассматривается как фундаментальный элемент нейроморфной инженерии и искусственных нейронных сетей. Благодаря биосовместимости, низкой стоимости, гибкости и совместимости с процессами печати и roll-to-roll-производства искусственные синапсы на основе органических транзисторов представляют значительный интерес. В настоящей работе продемонстрирована имитация синаптического поведения с помощью органических полевых транзисторов (FET) с ионогелевым затвором и активным каналом из поли(3-гексилтиофена) (P3HT). Успешно воспроизведены ключевые особенности синаптического поведения, включая парное облегчение импульсов (PPF), кратковременную пластичность (STP), самонастройку, логические операции со спайками, пространственно-временную интеграцию дендритных сигналов и модуляцию. Кроме того, подробно исследованы процессы межфазного легирования, обусловленные перемещением ионов электролита между активным слоем P3HT и ионогелем, чтобы подтвердить механизмы работы, лежащие в основе изменений проводимости и возбуждающего постсинаптического тока (EPSC) в органических синаптических устройствах. Это исследование представляет собой важный шаг на пути к созданию перспективных искусственных нейроморфных систем на основе новых органических синаптических устройств с ионогелевым затвором.
1
Органические синаптические устройства с ионогелевым затвором демонстрируют потенциал недорогих, гибких и пригодных для печати элементов нейроморфных систем.
2
Органические транзисторы с ионогелевым затвором и активным каналом P3HT успешно воспроизводят поведение искусственных синапсов.
3
Устройства имитируют парное облегчение импульсов, кратковременную пластичность, самонастройку, логические операции со спайками, пространственно-временную интеграцию дендритов и синаптическую модуляцию.
4
Подробно исследовано межфазное легирование ионами электролита между каналом P3HT и ионогелем, что объясняет изменения проводимости и возбуждающего постсинаптического тока.

органические полевые транзисторы с затвором на ионном геле и активным каналом из поли(3-гексилтиофена) (P3HT), используемые в качестве искусственных синаптических устройств

биомиметическое синаптическое поведение и лежащие в его основе механизмы межфазного легирования электролитными ионами, включая PPF, STP, самонастройку, логику спайков, дендритную интеграцию, модуляцию и изменения проводимости/EPSC

Publication Details
Publication Date
2016-09-08
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Authors
Jia Sun
Guangyang Gou
Yongli Gao
Jun He
Lingan Kong
Junliang Yang
Qing Wan
Chuan Qian
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%