Обнаружение неисправностей фотоэлектрических массивов на основе критерия Граббса и локального коэффициента выброса

Для повышения эффективности и работы в реальном времени при обнаружении неисправностей фотоэлектрических (PV) массивов в различных внешних условиях предложен новый метод на основе критерия Граббса и локального коэффициента выброса (G-LOF). Построена имитационная модель фотоэлектрического массива для получения опорного тока каждой PV-строки. Локальный коэффициент выброса (LOF) определяется как отношение средней локальной плотности достижимости окрестностей выборки к локальной плотности достижимости самой выборки. В настоящем исследовании LOF используется для количественной оценки аномальности путем сравнения измеренного тока с имитационным опорным током. Для снижения вероятности ложного срабатывания LOF критерий Граббса применяется в качестве критерия проверки при обнаружении аномалий в PV-строках и объединяется с LOF для получения метода G-LOF. Эксперименты по исследованию частичного затенения, обрывов цепи и коротких замыканий фотоэлектрических модулей проводились в солнечные и облачные дни. Экспериментальные результаты подтверждают, что предложенный метод G-LOF позволяет чувствительно обнаруживать указанные аномалии, особенно незначительное снижение производительности, вызванное частичным затенением или неисправностями.