Архитектура композитных многослойных полупроводниковых наноструктур
Architecture of composite multilayer semiconductor nanostructures
2023-01-01
SCID: 54.1/ju7cfjru
Discuss with AI
сложные многослойные полупроводниковые наноструктурыматематическая модельфизика процессоврезонансно-туннельные AlGaAs наноheterоструктуры
Figures from the paper
Abstract (AI)
Решается задача обеспечения эксплуатационных параметров композитных многослойных полупроводниковых наномасштабных структур на этапах проектирования и технологии. Разработана математическая модель, основанная на физике процессов, происходящих в структуре в процессе ее функционирования. Задача решена для резонансно-туннельных AlGaAs нано-гетероструктур.
Key Findings
1
Разработана математическая модель для прогнозирования рабочих параметров составных многослойных полупроводниковых наноразмерных структур на основе физических процессов.
2
Методология конкретно решена/применена для резонансно-туннельных AlGaAs наноразгетерostruktur.
3
Предложенный подход к моделированию предназначен для стадии проектирования и технологической подготовки с целью обеспечения требуемых рабочих характеристик наноструктур.
Research Object
Резонансно-туннельные наноферроструктуры AlGaAs
Research Subject
Эксплуатационные параметры и их обеспечение с помощью физически обоснованной математической модели для композитных многослойных полупроводниковых наносистем на этапах проектирования и технологической реализации
Publication Details
Publication Date
2023-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
0
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest