Механизмы протекания тока и фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур p-CdTe–n-CdS и p-CdTe–n-CdSe с глубокими уровнями примесей

В работе рассмотрены механизмы протекания тока и фотоэлектрические свойства солнечных элементов, изготовленных на основе сильно несогласованных полупроводниковых гетеропереходов p-CdTe–n-CdS и p-CdTe–n-CdSe с низкой плотностью поверхностных состояний N = 3·10^11 см^-2. Установлено, что прямой ток в гетеропереходах обусловлен туннелированием термально возбуждённых электронов и при больших прямых смещениях приобретает термоионный компонент. Обратный ток таких структур имеет туннельную природу. Показано, что структуры обладают фотопревращающей эффективностью 0,7 и 0,8 el/sq в спектральной области от 0,4 до 3,0 эВ в ближней инфракрасной области спектра.