Детерминированная генерация одиночных солитонов, охватывающих октаву, в микрокольцевых резонаторах из карбида кремния 4H на изоляторе

Octave‐Spanning, Deterministic Single Soliton Generation in 4H‐Silicon Carbide‐On‐Insulator Microring Resonators
Yi Zheng, Liping Zhou, Chengli Wang, Yanjing Zhao, Ailun Yi, Kresten Yvind, Xin Ou, Minhao Pu
2026-04-01

4H-карбид кремния на изоляторедетерминированная генерация одиночного солитонадисперсионно-управляемые микрокольцевые резонаторыоктавно-широкополосные солитонные микрогребёнкисамореферентные частотные гребёнки
Миниатюризация систем частотных гребёнок с самореференцированием открывает новые применения в метрологии и спектроскопии. Одной из основных проблем при реализации функции самореференцирования на кристалле является генерация солитонных микрогребёнок, охватывающих октаву, при низкой рабочей мощности. Получение солитонных состояний также нетривиально из-за тепловых эффектов. Хотя для компенсации тепловых эффектов использовался вспомогательный лазер, детерминированная генерация одиночного солитона по-прежнему остаётся недостижимой, особенно при широкополосной работе. В данной работе управление дисперсией реализовано в многомодовом микрокольцевом резонаторе из карбида кремния 4H на изоляторе (SiCOI), чему способствует волноводная конфигурация с субмикронным ограничением моды. Для фундаментальной поперечной электрической (TE) моды сформирована аномальная дисперсия, обеспечивающая генерацию двух дисперсионных волн в диапазоне, охватывающем октаву, тогда как для TE-моды более высокого порядка сформирована нормальная дисперсия, позволяющая вводить вспомогательный свет для температурной компенсации. Нормальная дисперсия подавляет генерацию керровской гребёнки вследствие модуляционной неустойчивости, обеспечивая широкий диапазон существования солитона. Получены микрокольцевые резонаторы с добротностью Q до 5,8 миллиона и генерацией керровской гребёнки с порогом ниже 1 мВт. Объединив конструкцию с управляемой дисперсией и устройство с высокой добротностью, мы продемонстрировали детерминированную генерацию гребёнки одиночного солитона, охватывающей более одной октавы, при низкой мощности на кристалле 60 мВт. Этот результат открывает путь к созданию полностью интегрированных, готовых к работе частотных гребёнок с самореференцированием.
1
Совместное применение управления дисперсией и устройств с высокой добротностью обеспечивает детерминированную генерацию одиночного солитона с охватом более октавы при мощности на чипе всего 60 мВт.
2
Управление дисперсией в многомодовом микрокольцевом резонаторе на основе карбида кремния 4H на изоляторе формирует аномальную дисперсию фундаментальной TE-моды и нормальную дисперсию TE-моды высшего порядка.
3
Нормальная дисперсия TE-моды высшего порядка подавляет генерацию керровской гребёнки посредством модуляционной неустойчивости и расширяет диапазон существования солитона для вспомогательной термокомпенсации.
4
Аномальная дисперсия фундаментальной TE-моды обеспечивает генерацию двух дисперсионных волн, что позволяет получить солитонную микрогребёнку с охватом более октавы.
5
Изготовленные микрокольцевые резонаторы достигают добротности до 5,8 миллиона и порога генерации керровской гребёнки менее 1 мВт.

многомодовые микрокольцевые резонаторы из карбида кремния 4H на изоляторе (SiCOI)

дисперсионное проектирование и детерминированная маломощная генерация одно-солитонных керровских частотных гребёнок с охватом более октавы, включая термокомпенсацию и обеспечение доступа к солитонным состояниям

Publication Details
Publication Date
2026-04-01
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
0
Access Type
Author Information
Authors
Yi Zheng
Liping Zhou
Chengli Wang
Yanjing Zhao
Ailun Yi
Kresten Yvind
Xin Ou
Minhao Pu
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%