Детерминированная генерация одиночных солитонов, охватывающих октаву, в микрокольцевых резонаторах из карбида кремния 4H на изоляторе
Octave‐Spanning, Deterministic Single Soliton Generation in 4H‐Silicon Carbide‐On‐Insulator Microring Resonators
2026-04-01
SCID: 54.1/nwgd985m
Discuss with AI
4H-карбид кремния на изоляторедетерминированная генерация одиночного солитонадисперсионно-управляемые микрокольцевые резонаторыоктавно-широкополосные солитонные микрогребёнкисамореферентные частотные гребёнки
Figures from the paper
Abstract (AI)
Миниатюризация систем частотных гребёнок с самореференцированием открывает новые применения в метрологии и спектроскопии. Одной из основных проблем при реализации функции самореференцирования на кристалле является генерация солитонных микрогребёнок, охватывающих октаву, при низкой рабочей мощности. Получение солитонных состояний также нетривиально из-за тепловых эффектов. Хотя для компенсации тепловых эффектов использовался вспомогательный лазер, детерминированная генерация одиночного солитона по-прежнему остаётся недостижимой, особенно при широкополосной работе. В данной работе управление дисперсией реализовано в многомодовом микрокольцевом резонаторе из карбида кремния 4H на изоляторе (SiCOI), чему способствует волноводная конфигурация с субмикронным ограничением моды. Для фундаментальной поперечной электрической (TE) моды сформирована аномальная дисперсия, обеспечивающая генерацию двух дисперсионных волн в диапазоне, охватывающем октаву, тогда как для TE-моды более высокого порядка сформирована нормальная дисперсия, позволяющая вводить вспомогательный свет для температурной компенсации. Нормальная дисперсия подавляет генерацию керровской гребёнки вследствие модуляционной неустойчивости, обеспечивая широкий диапазон существования солитона. Получены микрокольцевые резонаторы с добротностью Q до 5,8 миллиона и генерацией керровской гребёнки с порогом ниже 1 мВт. Объединив конструкцию с управляемой дисперсией и устройство с высокой добротностью, мы продемонстрировали детерминированную генерацию гребёнки одиночного солитона, охватывающей более одной октавы, при низкой мощности на кристалле 60 мВт. Этот результат открывает путь к созданию полностью интегрированных, готовых к работе частотных гребёнок с самореференцированием.
Key Findings
1
Совместное применение управления дисперсией и устройств с высокой добротностью обеспечивает детерминированную генерацию одиночного солитона с охватом более октавы при мощности на чипе всего 60 мВт.
2
Управление дисперсией в многомодовом микрокольцевом резонаторе на основе карбида кремния 4H на изоляторе формирует аномальную дисперсию фундаментальной TE-моды и нормальную дисперсию TE-моды высшего порядка.
3
Нормальная дисперсия TE-моды высшего порядка подавляет генерацию керровской гребёнки посредством модуляционной неустойчивости и расширяет диапазон существования солитона для вспомогательной термокомпенсации.
4
Аномальная дисперсия фундаментальной TE-моды обеспечивает генерацию двух дисперсионных волн, что позволяет получить солитонную микрогребёнку с охватом более октавы.
5
Изготовленные микрокольцевые резонаторы достигают добротности до 5,8 миллиона и порога генерации керровской гребёнки менее 1 мВт.
Research Object
многомодовые микрокольцевые резонаторы из карбида кремния 4H на изоляторе (SiCOI)
Research Subject
дисперсионное проектирование и детерминированная маломощная генерация одно-солитонных керровских частотных гребёнок с охватом более октавы, включая термокомпенсацию и обеспечение доступа к солитонным состояниям
Publication Details
Publication Date
2026-04-01
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
0
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest