Автономные искусственные синапсы на основе латерально протон-связанных транзисторов на хитозановых мембранах
Freestanding Artificial Synapses Based on Laterally Proton‐Coupled Transistors on Chitosan Membranes
2015-08-25
SCID: 54.1/qkbg3cxq
Discuss with AI
хитозановые мембраныэлектрохимическое легированиеавтономные искусственные синапсылатерально протон-связанные транзисторылогические операции на основе спайков
Figures from the paper
Abstract (AI)
Автономные синаптические транзисторы изготовлены на хитозановых мембранах, полученных методом обработки из раствора. При многократной импульсной стимуляции наблюдается переход от кратковременной памяти к долговременной, обусловленный электрохимическим легированием, связанным с протонами. Кроме того, исследованы автономные искусственные синаптические устройства с несколькими пресинаптическими входами, а также реализованы импульсные логические операции и логическая модуляция.
Key Findings
1
Свободностоящие искусственные синапсы с несколькими пресинаптическими входами обеспечивают выполнение спайковых логических операций.
2
Свободностоящие синаптические транзисторы изготовлены на мембранах хитозана, полученных растворным методом.
3
Повторная импульсная стимуляция вызывает переход от кратковременной к долговременной памяти посредством электрохимического легирования, связанного с протонами.
4
Устройства демонстрируют логическую модуляцию, расширяя их функциональность за пределы синаптического поведения памяти.
Research Object
Автономные искусственные синаптические транзисторы на основе латерально протон-связанных транзисторов, изготовленные на мембранах хитозана, полученных из раствора
Research Subject
Связанное с протонами электрохимическое легирование, переход от кратковременной к долговременной памяти и поведение логики с множественными входами при импульсной стимуляции
Publication Details
Publication Date
2015-08-25
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest