Микроволновая диэлектрическая проницаемость кремния, имплантированного As и B, и подвергнутого отжигу
Microwave permittivity of As and B implanted and annealed silicon
2009-09-01
SCID: 54.1/qu2fbqr9
Discuss with AI
кремний, имплантированный мышьяком (As)кремний, имплантированный бором (B)комплексная проницаемостьдиэлектрические потеридиэлектрическая проницаемость в СВЧ
Figures from the paper
Abstract (AI)
Поглощение энергии электромагнитных полей всегда связано с превращением электромагнитной энергии в тепло. Плотность рассеиваемой мощности пропорциональна диэлектрическим потерям. В настоящей работе изучаются диэлектрические потери (комплексная диэлектрическая проницаемость) интринзного и экстинзного кремния, выращенного методом Чохральского (Cz) и методом зонной плавки (Fz), в микроволновом X-диапазоне. Обсуждается механизм взаимодействия микроволнового излучения с неполярными простыми полупроводниками.
Key Findings
1
Оцениваются изменения микроволновой проницаемости кремния, имплантированного As и B и подвергнутого отжигу (указано в названии).
2
Исследована диэлектрическая потеря (комплексная диэлектрическая проницаемость) монокристаллического и легированного Cz и Fz кремния в X-диапазоне микроволн.
3
Анализируется механизм взаимодействия микроволнового излучения с неполярными элементными полупроводниками (кремнием).
4
Рассматривается поглощение микроволн кремнием как превращение электромагнитной энергии в тепло, при этом плотность рассеиваемой мощности пропорциональна диэлектрическим потерям.
Research Object
Кремний, имплантированный As и B и подвергнутый отжигу (интринзик и экстринзик Cz и Fz образцы кремния)
Research Subject
Комплексная диэлектрическая проницаемость в микроволновом диапазоне X-band (диэлектрические потери) и механизмы взаимодействия микроволнового излучения с неполярными элементарными полупроводниками
Publication Details
Publication Date
2009-09-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest