Рост тонких пленок нанокристаллического кремния и их применение в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах: краткий обзор
Nanocrystalline silicon thin film growth and application for silicon heterojunction solar cells: a short review
2021-01-01
SCID: 54.1/r78tft2d
Discuss with AI
плазменная обработка диоксидом углеродаплазменная обработка водородомнанокристаллические тонкие плёнки кремнияплёнки nc-Si:Hкремниевые гетеропереходные солнечные элементы
Figures from the paper
Abstract (AI)
Рассматриваются H-пленки для SHJ-элементов. Кроме того, плазменные обработки водородом и диоксидом углерода выделяются как критически важные этапы модификации процесса, направленные на улучшение оптоэлектронных свойств пленок nc-Si:H и повышение характеристик SHJ-устройств за счет более эффективных селективных по носителям интерфейсов.
Key Findings
1
Плазменная обработка диоксидом углерода также определяется как важная модификация для повышения характеристик нанокристаллических кремниевых плёнок.
2
Плазменная обработка водородом выделяется как критически важная модификация процесса для улучшения оптоэлектронных свойств нанокристаллических кремниевых плёнок.
3
Улучшение оптоэлектронных свойств плёнок может повысить эффективность кремниевых гетеропереходных солнечных элементов за счёт формирования более эффективных селективных для носителей интерфейсов.
4
В обзоре нанокристаллические кремниевые тонкие плёнки рассматриваются как материалы для кремниевых гетеропереходных солнечных элементов.
Research Object
нанокристаллические тонкоплёночные кремниевые покрытия и кремниевые солнечные элементы с гетеропереходом
Research Subject
влияние плазменных обработок водородом и диоксидом углерода на оптоэлектронные свойства плёнок nc-Si:H и характеристики селективных по носителям интерфейсов в элементах SHJ
Publication Details
Publication Date
2021-01-01
Journal
Publisher
ISSN
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest