Ферроэлектрические конденсаторы на основе HfO2 для FeRAM: надежность от выносливости при циклировании поля до удержания (приглашенный доклад)

При рассмотрении вопросов надежности внедрения ферроэлектрических конденсаторов на основе HfO2 в производство показано, что наиболее критичными являются проблемы детектирования поляризации, вызванные импринтом. Общеупотребимая модель импринта для тонкоплёночных ферроэлектрических конденсаторов на основе оксидов гафния и циркония ещё не получила широкого распространения. В этой работе хорошо известная модель импринта, основанная на инжекции заряда и применяемая к тонкоплёночным конденсаторам из вормата-цирконата-свинца (lead zirconate–titanate), была скорректирована и успешно подогнана под данные для тонкоплёночных конденсаторов на основе оксидов гафния и циркония. Это подтверждает интерфейсно-опосредованный механизм импринта в этих устройствах и предоставляет методику для оценки удержания данных в течение десяти лет.