Усовершенствованная модель EEHEMT для учета эффекта излома в HEMT на основе AlGaN/GaN

В статье предложено новое выражение для тока, основанное как на характеристиках постоянного тока (DC) транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе AlGaN/GaN, так и на гиперболическом тангенсе tanh, что позволяет адекватно описывать эффект излома в HEMT на основе AlGaN/GaN. Затем представлена усовершенствованная модель EEHEMT, включающая предложенное выражение для тока. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных результатов для вольт-амперных характеристик (I–V), S-параметров и крупносигнальных характеристик на радиочастоте (RF) саморазработанного планарного HEMT на основе AlGaN/GaN с десятью затворными пальцами длиной 0,4 мкм и шириной 125 мкм каждый; такое устройство обозначено как HEMT на основе AlGaN/GaN (10 × 125 мкм). Усовершенствованная крупносигнальная модель значительно точнее моделирует вольт-амперные характеристики, чем исходная модель, а ее крутизна и радиочастотные характеристики также демонстрируют отличное согласие с экспериментальными данными.