Силовые приборы на основе GaN: физика, надежность и перспективы
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
2021-11-08
SCID: 54.1/spranw6e
Discuss with AI
гетероструктуры AlGaN/GaNсиловые устройства на основе GaNпроцессы захвата и надежностьдвумерный электронный газвертикальные транзисторы GaN
Figures from the paper
Abstract (AI)
В течение последнего десятилетия нитрид галлия (GaN) стал перспективным материалом для изготовления силовых приборов. Среди полупроводников, для которых силовые приборы уже доступны на рынке, GaN обладает наиболее широкой запрещенной зоной, максимальной критической напряженностью электрического поля и наибольшей скоростью насыщения, что делает его превосходным материалом для изготовления высокоскоростных и высоковольтных компонентов. Наличие спонтанной и пьезоэлектрической поляризации позволяет создавать двумерный электронный газ с высокой подвижностью и большой концентрацией носителей в канале без легирования благодаря использованию гетероструктур AlGaN/GaN. Это способствует минимизации резистивных потерь; одновременно в транзисторах на основе GaN коммутационные потери очень малы благодаря низким паразитным емкостям и малым зарядам переключения. Масштабирование приборов и монолитная интеграция обеспечивают работу на высоких частотах, что дает преимущества с точки зрения миниатюризации. Для работы при высокой мощности и высоком напряжении предлагаются и исследуются вертикальные архитектуры приборов, а трехмерные структуры — в виде ребер, траншей и нанопроводов — демонстрируют значительный потенциал. В отличие от Si, GaN является относительно молодым материалом: процессы захвата носителей и деградации необходимо подробно изучить и описать с целью оптимизации стабильности и надежности приборов. В этом учебном обзоре рассматриваются физика, технология и надежность силовых приборов на основе GaN. В первой части статьи, начиная с обсуждения основных свойств материала, подробно рассматриваются характеристики латеральных и вертикальных транзисторов на основе GaN, чтобы дать читателю ориентиры в этой сложной и интересной области. Вторая часть посвящена аспектам захвата носителей и надежности: подробно обсуждаются физическая природа ловушек в GaN и основные механизмы деградации. Обширный список цитируемых публикаций и глубокий анализ наиболее значимых аспектов дают читателю всесторонний обзор...
Key Findings
1
Поляризационно-индуцированный двумерный электронный газ в гетероструктурах AlGaN/GaN обеспечивает высокую подвижность и плотность носителей без легирования, снижая резистивные потери.
2
GaN обладает исключительно благоприятными свойствами для силовых приборов, включая наибольшую ширину запрещённой зоны, максимальное критическое поле и наибольшую скорость насыщения среди коммерчески доступных полупроводников.
3
Транзисторы на основе GaN характеризуются очень низкими потерями при переключении благодаря малым паразитным ёмкостям и зарядам переключения, а масштабирование и монолитная интеграция поддерживают высокочастотную миниатюризацию.
4
Захват носителей и деградация являются ключевыми проблемами надёжности GaN; понимание происхождения ловушек и механизмов деградации необходимо для повышения стабильности и надёжности приборов.
5
Вертикальные и трёхмерные архитектуры GaN, включая ребристые, траншейные и нанопроволочные структуры, демонстрируют значительный потенциал для мощных и высоковольтных применений.
Research Object
Силовые приборы на основе GaN (латеральные и вертикальные транзисторы на GaN и трёхмерные архитектуры GaN)
Research Subject
Их физические основы, технология изготовления, процессы захвата носителей, механизмы деградации, стабильность и надёжность
Publication Details
Publication Date
2021-11-08
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
698
Open access PDF
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest