Силовые приборы на основе GaN: физика, надежность и перспективы

GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
G. Verzellesi, Matteo Meneghini, Carlo De Santi, Idriss Abid, Matteo Buffolo, Marcello Cioni, Riyaz Abdul Khadar, Luca Nela, Nicolò Zagni, Alessandro Chini, Farid Medjdoub, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Elison Matioli
2021-11-08

гетероструктуры AlGaN/GaNсиловые устройства на основе GaNпроцессы захвата и надежностьдвумерный электронный газвертикальные транзисторы GaN
В течение последнего десятилетия нитрид галлия (GaN) стал перспективным материалом для изготовления силовых приборов. Среди полупроводников, для которых силовые приборы уже доступны на рынке, GaN обладает наиболее широкой запрещенной зоной, максимальной критической напряженностью электрического поля и наибольшей скоростью насыщения, что делает его превосходным материалом для изготовления высокоскоростных и высоковольтных компонентов. Наличие спонтанной и пьезоэлектрической поляризации позволяет создавать двумерный электронный газ с высокой подвижностью и большой концентрацией носителей в канале без легирования благодаря использованию гетероструктур AlGaN/GaN. Это способствует минимизации резистивных потерь; одновременно в транзисторах на основе GaN коммутационные потери очень малы благодаря низким паразитным емкостям и малым зарядам переключения. Масштабирование приборов и монолитная интеграция обеспечивают работу на высоких частотах, что дает преимущества с точки зрения миниатюризации. Для работы при высокой мощности и высоком напряжении предлагаются и исследуются вертикальные архитектуры приборов, а трехмерные структуры — в виде ребер, траншей и нанопроводов — демонстрируют значительный потенциал. В отличие от Si, GaN является относительно молодым материалом: процессы захвата носителей и деградации необходимо подробно изучить и описать с целью оптимизации стабильности и надежности приборов. В этом учебном обзоре рассматриваются физика, технология и надежность силовых приборов на основе GaN. В первой части статьи, начиная с обсуждения основных свойств материала, подробно рассматриваются характеристики латеральных и вертикальных транзисторов на основе GaN, чтобы дать читателю ориентиры в этой сложной и интересной области. Вторая часть посвящена аспектам захвата носителей и надежности: подробно обсуждаются физическая природа ловушек в GaN и основные механизмы деградации. Обширный список цитируемых публикаций и глубокий анализ наиболее значимых аспектов дают читателю всесторонний обзор...
1
Поляризационно-индуцированный двумерный электронный газ в гетероструктурах AlGaN/GaN обеспечивает высокую подвижность и плотность носителей без легирования, снижая резистивные потери.
2
GaN обладает исключительно благоприятными свойствами для силовых приборов, включая наибольшую ширину запрещённой зоны, максимальное критическое поле и наибольшую скорость насыщения среди коммерчески доступных полупроводников.
3
Транзисторы на основе GaN характеризуются очень низкими потерями при переключении благодаря малым паразитным ёмкостям и зарядам переключения, а масштабирование и монолитная интеграция поддерживают высокочастотную миниатюризацию.
4
Захват носителей и деградация являются ключевыми проблемами надёжности GaN; понимание происхождения ловушек и механизмов деградации необходимо для повышения стабильности и надёжности приборов.
5
Вертикальные и трёхмерные архитектуры GaN, включая ребристые, траншейные и нанопроволочные структуры, демонстрируют значительный потенциал для мощных и высоковольтных применений.

Силовые приборы на основе GaN (латеральные и вертикальные транзисторы на GaN и трёхмерные архитектуры GaN)

Их физические основы, технология изготовления, процессы захвата носителей, механизмы деградации, стабильность и надёжность

Publication Details
Publication Date
2021-11-08
Journal
Publisher
ISSN
Cited by
698
Access Type
Author Information
Authors
G. Verzellesi
Matteo Meneghini
Carlo De Santi
Idriss Abid
Matteo Buffolo
Marcello Cioni
Riyaz Abdul Khadar
Luca Nela
Nicolò Zagni
Alessandro Chini
Farid Medjdoub
Gaudenzio Meneghesso
Enrico Zanoni
Elison Matioli
Explore further
Open the scid.ai AI chat with a ready-made request: it will find papers on a similar topic and help build a literature review.
Find similar papers in the chat
Make a presentation
100%