Высокомощные (>0,5 Вт в непрерывном режиме) диодно-накачиваемые полупроводниковые лазеры с вертикальным внешним резонатором и поверхностным излучением с круговыми пучками TEM₀₀
High-power (>0.5-W CW) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEM/sub 00/ beams
1997-08-01
SCID: 54.1/td2azn4j
Discuss with AI
многоквантовая ямная структура InGaAs-GaAsP-GaAsVECSELнепрерывный лазер на длине волны 1004 нмдиодно-накачиваемый лазероптически накачиваемый полупроводниковый лазер
Figures from the paper
Abstract (AI)
Продемонстрирована новая технология создания высокомощных полупроводниковых лазеров — оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров с вертикальным внешним резонатором и поверхностным излучением (OPS-VECSEL). При диодной накачке OPS-VECSEL с компенсированной по деформации многоквантовой ямной структурой InGaAs–GaAsP–GaAs (MQW) работал в непрерывном режиме (CW) вблизи λ ≈ 1004 нм, обеспечивая рекордную выходную мощность 0,69 Вт в моде TEM₁₁, 0,52 Вт в моде TEM₀₀ и 0,37 Вт при вводе излучения в одномодовое оптическое волокно. Эффективный, компактный, технологичный и надежный лазер OPS-VECSEL позволяет получать мощность более 1 Вт в дифракционно-ограниченном круговом пучке.
Key Findings
1
Продемонстрирован мощный оптически накачиваемый полупроводниковый VECSEL с диодной накачкой и компенсированной по деформации многоквантовой ямной структурой InGaAs-GaAsP-GaAs.
2
OPS-VECSEL работал в непрерывном режиме вблизи 1004 нм и обеспечил рекордную выходную мощность 0,69 Вт в моде TEM11.
3
Лазер обеспечил 0,52 Вт в круглой моде TEM00 и 0,37 Вт при вводе излучения в одномодовое волокно.
4
Результаты показывают возможность получения мощности свыше 1 Вт в дифракционно-ограниченном круглом пучке с помощью эффективного, компактного, технологичного и надежного OPS-VECSEL.
Research Object
Оптически накачиваемые полупроводниковые поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным внешним резонатором (OPS-VECSEL) на основе компенсированной по деформациям многоквантовой ямной структуры InGaAs-GaAsP-GaAs
Research Subject
Мощность непрерывного излучения, качество поперечной моды, формирование круглого пучка и ввод излучения в одномодовое волокно вблизи 1004 нм
Publication Details
Publication Date
1997-08-01
Journal
Publisher
ISSN
Access Type
Author Information
Download PDF
Subscribe to digest